市场洞察与行情

 

2025年全球半导体销售额达7917亿美元，2026年有望突破万亿美元

根据美国半导体行业协会（SIA）数据，2025年全球半导体行业销售额创下7917亿美元历史新高，较2024年的6305亿美元大幅增长25.6%。其中，第四季度销售额为2366亿美元，同比激增37.1%；12月全球销售额为789亿美元，环比增长2.9%。在人工智能等颠覆性技术推动下，2026年全球半导体市场规模有望突破1万亿美元。

 

从区域看，2025年亚太及其他地区销售额同比大幅增长45.0%，美洲地区增长30.5%，中国增长17.3%。产品领域方面，逻辑芯片销售额同比增长39.9%，达到3019亿美元，成为最大品类；存储芯片销售额紧随其后，增长34.8%，达到2231亿美元。

 

当前增长核心引擎已转向人工智能与数据中心。北美四大云服务供应商2026年在AI基础设施领域的资本支出预计高达6000亿至6700亿美元，同比增幅超60%。分析师预测，2026年全球AI服务器对应的AI芯片需求将达1600万颗。存储市场受AI服务器需求驱动尤为显著，其存储需求是传统服务器的8至10倍，预计2026年第一季度传统DRAM合约价将环比上涨55%至60%。供给端方面，领先的晶圆代工厂商AI半导体业务收入2024-2029年复合增长率预计高达60%。

 

 

ECIA调查：半导体信心指数飙升24点，七成企业预期Q1正增长

ECIA最新发布的调查显示，电子元件行业销售信心在2026年初迎来显著复苏。12月销售信心指数总分达134.0，较预期高出近33个百分点；整体信心指数较上月上升超过4点至138.3，扭转了此前市场自我怀疑的局面。从更长时间维度看，2025年下半年成为三年多来销售信心最为乐观的时期，6月至12月总体平均指数达121.5。

 

半导体市场表现尤为突出，信心指数飙升超过24点，达到147.6。这一市场情绪与世界半导体贸易统计组织（WSTS）的预测高度吻合——WSTS打破常规，预测2026年全球半导体市场将实现26.3%的增长，高于2025年22.5%的预期增长率。除存储器IC和逻辑IC之外的其他半导体类别预计将实现中等个位数的增长，包括模拟IC、微组件、分立器件、光学器件和传感器，这些近年来发展相对乏力的领域重回增长轨道，为行业带来更广泛的复苏基础。

 

机电及被动元件类别同样显示市场稳健改善。整体终端市场调查结果12月得分达118.8，过去三个月所有终端市场类别均保持在100分以上。从季度预期看，超过70%的受访者预计2026年第一季度销售额将实现正增长。

 

在供应链层面，交货时间压力持续增大。12月有33%的受访者反映面临更大交货时间压力，较11月的21%显著上升。DRAM和NAND闪存类别中，反映交货周期延长的报告比例高达80%；其他半导体类别中，这一比例在44%到58%之间，反映出市场供需关系正趋紧张。

 

 

 

 

2026年八大云服务商投资将突破7100亿美元

全球云端服务供应商正以前所未有的力度加码AI基础设施投资。根据TrendForce最新研究报告，全球八大主要CSP合计资本支出预计2026年将超越7100亿美元，年增率高达61%。

 

从各厂商资本支出规划观察，Google母公司Alphabet预计2026年资本支出将超1783亿美元，年增高达95%，增速领跑全球主要CSP。受益于Google Cloud Platform、Gemini等AI应用对TPU需求的强力拉动，预估2026年TPU在Google AI服务器中的出货占比将上升至逼近78%，Google也是全球主要CSP中唯一ASIC机种出货比例高于GPU机种的业者。

 

Meta预计2026年资本支出将突破1245亿美元，年增77%，其AI服务器仍以英伟达、AMD方案为主，预估GPU机种占比将维持80%以上。微软主要购置英伟达整柜解决方案支持其AI服务器出货。亚马逊近期上调对英伟达GB300、V200整柜系统的采购规模，预估2026年其GPU机种在自有AI服务器中的占比将达近60%，自研ASIC方面预计新一代Trainium 3将于2026年第二季起接替Trainium 2/2.5放量。

 

甲骨文因应Stargate、OpenAI等项目持续布局GPU整柜式方案。中系CSP方面，字节跳动半数以上资金将用于采购AI芯片相关，英伟达H200有望成为主要方案之一，同时扩大导入寒武纪等本土AI芯片。腾讯以外购英伟达等GPU方案支撑云端需求，同时与本土业者合作发展ASIC自主方案。阿里巴巴旗下平头哥与阿里云提供AI应用基础设施，百度规划于2026年后陆续导入昆仑新方案。

 

 

德州仪器75亿美元收购Silicon Labs，强化物联网无线连接布局

全球模拟芯片巨头德州仪器（TI）于当地时间2月4日宣布，将以每股231.00美元的全现金方式收购物联网无线连接芯片厂商Silicon Labs，交易总价值约75亿美元。这是德州仪器自2011年以65亿美元收购美国国家半导体以来规模最大的一笔交易，预计于2027年上半年完成。交易完成后，预计将在三年内每年产生约4.5亿美元的制造与运营协同效益。

 

此次收购旨在显著增强德州仪器在嵌入式无线连接领域的领导地位，为其产品组合新增约1200款支持多种无线标准和协议的产品。Silicon Labs以其在Zigbee、蓝牙、Thread等无线协议上的技术优势著称，自2014年以来实现了约15%的复合年收入增长率。合并后，德州仪器计划将Silicon Labs的制造业务从外部代工厂转回其自有产能，利用其在美国的300毫米晶圆厂及内部封装测试能力，特别是优化的28纳米工艺，以提供大规模、低成本的制造支持。

 

 

SiTime以29亿美元收购瑞萨电子时序业务，加码AI数据中心市场

模拟芯片制造商SiTime公司已同意以现金加股票的方式收购瑞萨电子旗下的计时产品部门，交易估值约29亿美元。根据协议，SiTime将支付15亿美元现金及413万股自有股票（按每股347.96美元计）来完成收购，现金部分将动用公司自有资金及富国银行提供的9亿美元债务融资。该交易预计于2026年底前完成，此次收购是SiTime迄今规模最大的一笔交易，旨在强化其在AI数据中心等关键市场提供时序解决方案的能力。

 

 

英飞凌宣布4月起调涨功率芯片，AI需求驱动行业全面涨价

英飞凌近日正式发布客户通知，宣布自2026年4月1日起上调其功率开关及集成电路产品价格。此次涨价的核心驱动力源于人工智能数据中心部署带来的强劲需求，导致相关产品出现短缺。为支撑增长，英飞凌需进行重大额外投资以扩充晶圆厂产能，同时面临原材料与基础设施成本上升的压力。公司预计2026财年营收将实现温和增长，并计划投资约27亿欧元以加速产能扩张，其中AI数据中心电源解决方案是重点，该领域营收预计将从本财年的约15亿欧元增长至2027财年的约25亿欧元。

 

这股由AI算力需求驱动的涨价浪潮并非孤立。此前，模拟芯片领军企业ADI已宣布自2026年2月1日起对全系列产品提价，业内消息称整体涨幅约为15%，部分军用级产品涨幅或高达30%。另一巨头德州仪器更早于2025年8月调涨了超过6000款产品型号价格，涨幅在10%至30%之间，其中超四成产品涨幅突破30%，重点覆盖工业与汽车领域。工业自动化领域同样卷入涨价周期，欧姆龙于2月6日宣布对包括PLC、传感器、继电器在内的众多自动化产品实施价格调整，涨幅范围为5%至50%，新价格已于2月7日生效。此外，自2025年底以来，国科微、中微半导、英集芯等多家国内芯片厂商也已相继发布涨价通知。

 

 

TrendForce: DRAM一季度合约价涨幅最高95%，半年飙涨近6倍

TrendForce最新调查显示，受AI需求外溢带动，CSP业者数据中心建置重心由AI服务器扩展至传统服务器，内存采购从HBM3e延伸至各类容量RDIMM，推动传统型DRAM合约价大幅上涨。2025年第四季DRAM产业营收环比增长29.4%至535.8亿美元。

 

在平均销售单价方面，2025年第四季传统型DRAM合约价上涨45%至50%，与HBM合并整体合约价上涨50%至55%。进入2026年第一季，尽管消费性应用进入淡季，但在CSP厂商积极确保供应量且对采购价格持开放态度下，预计传统型DRAM合约价将上涨90%至95%，与HBM合并整体合约价上涨80%至85%，涨幅再次加速。

 

分应用领域观察，PC DRAM在卖方市场格局下预计2026年第一季价格将季增100%以上，涨幅创历史新高；Server DRAM方面，买方积极竞逐原厂供给将带动第一季价格上涨约90%，同样创下历年最大涨幅；Mobile DRAM市场因供需差距扩大，预计将导致第一季LPDDR4X、LPDDR5X合约价均大幅上调至季增90%左右。

 

从供应商表现看，2025年第四季三星营收达193.0亿美元，环比增长43.0%，售价环比增长约40%居三大原厂之首，营收市占率回升至36.0%重返第一；SK海力士营收172.2亿美元，环比增长25.2%，因HBM占营收比重最高反映合约价波动较小；美光营收119.8亿美元，环比增长12.4%。台系厂商方面，南亚科技营收环比大涨54.7%至9.70亿美元，ASP上涨约30%，营业利润率自6.0%大幅提升至39.1%；华邦电营收季增33.7%至2.97亿美元，ASP环比增长约35%；力积电DRAM营收季增0.6%至3300万美元。

 

 

DRAM与NAND价格创历史新高

市场研究数据显示，2026年1月主流PC DRAM产品（DDR4 8Gb）平均固定合同价格达11.50美元，较上月上涨23.66%，创下自2016年开始价格追踪以来的历史最高纪录。自2025年4月以来，该产品价格已连续10个月上涨，累计涨幅达115%至120%。同期，主流NAND闪存产品（128Gb MLC）价格飙升至9.46美元，较上月暴涨64.83%，实现连续第13个月上涨。目前DDR5内存模块相对于DDR4的折扣率已从上一季度的6%扩大至12%。

 

此轮价格上涨的核心驱动力在于AI需求引发的结构性供应短缺。由于存储器供应商优先将产能分配给用于AI服务器的高带宽内存（HBM）和3D NAND等高附加值产品，导致传统产品供应严重受限。以谷歌、Meta、亚马逊为代表的全球云服务商及英伟达等AI巨头，已大举包下SK海力士、美光、三星三大存储厂商的HBM产能，进一步加剧传统DRAM供应紧张。

 

从技术瓶颈看，DRAM微缩速度已显著放缓，过去十年密度仅增长约2倍，远低于鼎盛时期的百倍增长。市场供需失衡极为严峻，现代汽车证券分析师指出，目前存储芯片供应量比需求量低约10%，而即使5%的供应缺口也可能导致价格上涨40%至50%，在周期转向前存储器价格可能上涨高达2.5倍。

 

供应链短缺态势预计将长期持续。存储器大厂美光高管指出，全球存储器短缺局面预计将持续到2028年。EDA巨头新思科技CEO也认为，供应紧张问题将延续至2027年。花旗分析师认为，当前上涨周期始于2024年，预计持续时间将超过2001年至2007年的上一个长周期。业内分析认为，AI热潮已促使产业进入一个可能持续五年以上的"准超级循环"。预计2026年第一季度存储芯片价格将再上涨70%至80%，但涨幅从第二季度起可能放缓。

 

 

DDR4价格单日闪崩近20%，美银上调2026年存储产值预期看好AI长期需求

在经历长达一年的暴涨行情后，DDR4内存价格近日出现罕见闪崩。2月12日市场数据显示，8GB规格DDR4报价从260至270元人民币暴跌至180至190元，单日跌幅逼近20%；16GB规格从800元降至650元。此次价格跳水终结了DDR4延续一年的超级牛市——去年DRAM整体涨幅高达386%，16GB DDR4更曾在三个月内实现价格翻倍。不过华强北商家表示实际回调幅度有限，有的型号仍达1800元，存储代理商指出回调主要与春节前后厂商回笼资金有关。

 

回溯本轮行情根源，主要依托于AI算力需求推动。三星、SK海力士等大厂为抢占高利润HBM订单，大幅缩减DDR4产能。数据显示，2025年DDR5在PC和服务器领域渗透率已达70%至80%，DDR4市场占比不足30%。中芯国际联席首席执行官赵海军警示，AI发展带动HBM等高端产品强劲需求，但导致中低端产能被转移至AI服务器领域，形成“需求转移”而非“需求总量扩张”现象。从晶圆代工端观察，与AI、高性能计算相关的芯片订单持续增长，而面向中低端消费电子、工业控制领域的订单有所萎缩。

 

据美银最新报告，在连续上涨4至5个月后，DRAM现货价格上周出现自2025年9月以来的首次回调。当前现货价格与合约价格存在显著落差，一线OEM厂商获得的DRAM合约价仍维持在每GB 10至20美元区间，远低于现货水平。尽管出现短期波动，美银上修存储产业中期展望，将2026年DRAM与NAND平均售价预期上调20%以上，预计2026年全球DRAM销售额将从2025年的1340亿美元大幅增长至2620亿美元，年增长率约95%；NAND销售额从810亿美元增至1470亿美元，年增幅约82%，主要由ASP上涨50%至60%支撑。AI服务器需求仍是核心驱动力，HBM市场规模持续扩大，SK海力士在HBM领域的主导地位在2026至2027年仍将延续。

 

业内专家认为，随着DDR5全面普及、国产替代产能释放及炒作热度消退，DDR4的超级牛市大概率已结束。展望未来，美银看好存储产业具备多年成长周期，但预计2026年第二季至下半年ASP将趋于稳定，2027年可能出现低于10%的价格回调，短期现货价格波动尚未改变由AI驱动的产业长期上行趋势。

 

 

HBM4定价突破700美元，三星与SK海力士开启单季30万亿韩元盈利时代

在AI算力需求爆发与供应短缺加剧推动下，高带宽内存价格大幅跳涨。据业内人士透露，三星电子近期量产的全球首款HBM4产品售价已飙升至约700美元，较半年前SK海力士供应英伟达的550美元上涨近30%，相比前代HBM3E高出20%至30%。SK海力士预计将跟进此定价策略。随着通用DRAM盈利能力大幅提升，与HBM利润率已不相上下，存储器厂商议价能力显著增强。

 

从市场供需看，短缺程度持续加剧。KB证券数据显示，截至2026年2月，主要客户内存芯片需求满足率仅约60%。花旗集团预测，2026年DRAM与NAND闪存需求增速将分别达20.1%和21.4%，均高于17.5%和16.5%的供给增速。PC通用DRAM价格预计第一季度环比上涨91%，服务器DDR5价格涨幅更高达99%，智能手机内存价格过去一年几乎翻三倍。

 

在价格全面上涨推动下，韩国两大存储巨头业绩再创新高。三星电子去年第四季度首次实现20万亿韩元季度营业利润，SK海力士同期达19万亿韩元左右。市场普遍预期2026年第一季度三星电子营业利润可能达32万亿韩元，SK海力士有望超过28万亿韩元，两家合计将突破30万亿韩元大关，开启韩国企业“单季30万亿时代”。全年展望同样乐观，摩根士丹利预测三星电子2026年营业利润将达245.7万亿韩元，SK海力士预计为179.4万亿韩元，分别同比增长464%和280%。

 

从市场竞争格局看，三星电子凭借率先量产HBM4的技术优势，今年有望占据全球HBM市场约30%份额，HBM销量同比增长三倍。搭载三星HBM4的AI加速器计划在英伟达3月16日开幕的GTC 2026大会上正式亮相。尽管三大存储厂商均已宣布大规模资本支出，但受限于建设周期，新增产能难以短期内填补缺口，美光2000亿美元扩产计划中新建晶圆厂有效供给要到2028年后。机构普遍预期，存储器价格强势格局有望延续至2027年。

 

 

存储巨头扩产：美光斥资2000亿美元，SK海力士与三星同步加码应对AI驱动超级周期

美光科技表示，目前只能满足关键客户50%至三分之二的需求，KB证券数据显示截至2026年2月主要客户内存芯片需求满足率仅约60%，服务器DRAM供应缺口低于50%。自2025年9月以来，DDR5芯片价格已暴涨近500%，短缺从高端HBM蔓延至整个存储器市场。花旗集团预测2026年DRAM与NAND闪存需求增速将达20.1%和21.4%，均高于17.5%和16.5%的供给增速，市场普遍预期供应短缺将持续至2027年。

 

在价格全面上涨推动下，存储巨头盈利预期持续上调。美光预计本季度毛利率将达68%，逼近英伟达盈利水平。SK海力士董事长透露，分析师对2026年营业利润平均预估已从去年底500亿美元升至700亿美元，部分机构上看超1000亿美元。伯恩斯坦报告预计2026年第四季DRAM毛利率可能达77%历史新高。

 

面对需求井喷，三大存储厂商同步启动史上最大规模产能扩张。美光宣布在美国本土投入总计2000亿美元，其中500亿美元扩建爱达荷州总部园区新建两座晶圆厂，首座预计2027年中量产DRAM，全部投产定于2028年底；同时在纽约州雪城启动1000亿美元晶圆厂园区，并于2025年底在日本广岛敲定96亿美元建厂计划。

 

SK海力士将龙仁一期晶圆厂试运行从原定2027年5月提前至2026年2至3月，该工厂规模相当于清州M15X晶圆厂6倍；投资超20万亿韩元的清州新M15X工厂已试营运，初期月产能约1万片，2026年底将扩至5.5万至6万片。三星电子计划2026年将HBM4用1c DRAM产能提升约170%，在平泽P4工厂新建DRAM生产线，预计2027年第一季度实现每月10万至12万片晶圆产能；在NAND领域，三星计划2026年第二季度在西安X2生产线扩产第九代V9 NAND，月产能增4万至5万片，SK海力士同期在清州M15工厂实现每月约3万片第九代321层NAND晶圆产能。

 

从产品价格看，HBM4最新报价约700美元，较HBM3E高出20%至30%，较2025年8月上涨近30%。SK海力士在HBM市场占据约60%主导地位，为英伟达AI加速器供能，2026年产能已全部售罄，DRAM及NAND库存仅剩约4周水位。三星电子凭借率先量产HBM4优势，今年有望占据全球HBM市场约30%份额。

 

尽管扩产规模空前，但新增产能难以短期内填补缺口。美光副总裁坦言“从未见过如此颠覆性需求爆发”，2026年增量主要依靠现有技术升级，供应增长极为有限，新建晶圆厂有效供给要到2028年后。SK海力士董事长警示技术快速更迭可能“轻易转成1000亿美元亏损”。伯恩斯坦报告指出即便2027年价格正常化，DRAM毛利率仍将维持在62%左右高位，HBM市场预计2026年位元出货量增长100%，2027年再增35%。

 

 

SK海力士DDR5再涨40%，Q2价格翻倍，半年飙涨近6倍

SK海力士与三星电子近日向客户发出最新调价通知，正式宣布第二季度DRAM价格将大幅上调。SK海力士对DDR5内存颗粒再度加价40%，三星方面除苹果等大型客户外，其余厂商采购价可能较此前合约价高出一倍以上，部分中小客户需接受两倍以上的涨幅才能确保供货。内存模组厂商截至2月27日已暂停对外报价。

 

现货市场价格同步飙升。以DDR5主流32GB规格产品为例，价格预计从目前约新台币1万元区间飙升至2万元大关。市场研究机构集邦咨询数据显示，PC DRAM方面，DDR4和DDR5价格2026年第一季度环比涨幅高达105%至110%。另据CFM闪存市场数据，DDR5 16Gb eTT规格产品价格已从2025年8月的4.10美元/颗飙升至2026年2月24日的24.00美元/颗，半年时间价格上涨近6倍。SK海力士透露，当前公司DRAM及NAND整体库存仅剩约4周，2026年HBM产能已提前售罄。

 

涨价潮已传导至终端市场。PC大厂惠普表示，今年内存和存储成本将占PC物料成本的35%，相比去年接近翻倍。智能手机方面，OPPO、vivo、小米、荣耀等多家头部品牌已拟定于3月初启动新一轮产品调价。IDC预测，2026年智能手机平均售价将升至465美元，整体市场营收达5789亿美元，创历史新高。Gartner预测，包括DRAM和SSD在内的内存价格到今年底将上涨130%，上涨趋势至少持续至2026年下半年。

 

 

 

Omdia与高盛齐发声：2026年存储供需缺口达近15年峰值，三大品类同步告急

Omdia与高盛最新研究报告共同指出，2026年DRAM、NAND与HBM三大核心产品线将同步陷入供应紧张，存储产业进入长期供不应求的新常态。高盛明确指出，2026年是近15年来DRAM供需最紧张的一年，全年将出现4.9%的供给缺口，2027年仍达2.5%；NAND市场2026年与2027年缺口分别为4.2%与2.1%；HBM市场缺口则高达5.1%与4.0%。

 

从价格走势看，自2025年9月以来，DDR5芯片价格已飙升近500%。Omdia预计NAND平均销售价格2026年一季度有望趋近0.15美元/GB（环比上涨70%），二季度达到0.18美元/GB（环比上涨25%）。近期企业级与消费级固态硬盘合同价格季度环比上涨超60%，部分交易价格翻倍，1月份NAND晶圆价格月度环比涨幅介于中个位数至两位数之间。NOR市场同样表现稳健，Omdia预计2026年收入将恢复至35.4亿美元，2027年达到40.3亿美元。

 

从需求结构看，服务器已成为绝对需求引擎。单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的3至5倍，高盛预测2026年与2027年服务器DRAM（不含HBM）需求增长率将达39%与22%；若纳入HBM，服务器相关用量占全球DRAM总需求比重将分别升至53%与57%。企业级SSD在NAND总需求中的占比预计2026年达36%、2027年达39%，对应需求增速高达58%与23%。英伟达Vera Rubin AI超算平台带来惊人硬件需求：单台服务器配备72颗GPU，每颗需16TB SSD，合计高达1.152PB NAND闪存，保守估计若2026年出货3万台将新增全球NAND需求2.8%，若2027年达10万台占比将跃升至9.3%。

 

供应端却难以快速响应。SK海力士坦言，受洁净室空间、设备交付周期及先进制程良率限制，短期内产能弹性极低。HBM因采用3D堆叠与TSV技术，单颗消耗晶圆产能是标准DRAM三倍以上，进一步挤占通用DRAM产能。三星P5厂与SK海力士龙仁新厂最快2027年下半年才能量产，2026年DRAM供给年增率仅约21%，远低于需求增速。市场红利迅速兑现，美光HBM产能已全部售罄，上季度营收增长57%，毛利率从38.4%飙升至56%，预计本季将达68%。SK海力士拿下2026年超55%的HBM供应份额，三星HBM4报价较上代上涨约30%至700美元。机构普遍认为HBM需求由多元客户共同驱动，2027年市场规模有望达750亿美元，存储器供需紧张格局预计将持续至2027年上半年。

 

 

存储供应链全线告急：铠侠库存降至87天，SK海力士仅剩四周，西部数据与希捷2026年产能售罄

全球存储市场正经历前所未有的全面紧缺，从NAND闪存到机械硬盘，供应链各环节均发出告急信号。铠侠最新财报显示，截至2025年12月31日，平均库存天数已从第二季度末的100天降至87天，不足三个月。SK海力士库存更为严峻，DRAM和NAND闪存已降至仅约四周供应量的历史极低水位，2026年HBM产能已全部售罄。

 

机械硬盘市场同样陷入深度短缺。西部数据明确表示2026年所有存储容量几乎已售罄，大部分产能分配给前七大客户，其中三家超大规模云服务商已签订2027年及2028年长期供货协议，客户甚至开始询问2030年产能。最新财季营收达30.2亿美元，净利润18.4亿美元，同比增长210%，预计未来3至5年营收年复合增长率将超20%。希捷同样宣布近线产能已全部售罄至2026年全年，最新财季营收达28.25亿美元，同比增长21.5%，毛利率提升至42.2%，客户已开始讨论2028年预测。

 

从价格走势看，铠侠预计2026年第一季度营业利润和净利润环比增长至少两倍以上。NAND市场方面，铠侠预计2026年NAND需求将超过供给，bit出货增长率约在17%至19%区间。AI服务器需求成为核心驱动力，单台AI服务器DRAM用量已是传统服务器3至5倍。

 

这场由AI引发的存储荒已引发全行业连锁反应。市场普遍预期2026年消费级HDD将面临严重短缺，有报道称索尼等游戏主机厂商甚至考虑将下一代PlayStation延后至2027年以后。群联电子CEO警告，今年下半年恐有消费电子企业因拿不到货而面临生存危机。在结构性短缺背景下，产业链正从现货博弈转向“产能预订”时代。

 

 

AI服务器与汽车电子引爆NOR Flash短缺，预计Q2价格再涨40%至50%

受人工智能服务器及汽车电子需求激增驱动，NOR Flash市场正面临严重供应短缺与价格飞涨。行业预计2026年第二季度NOR Flash合约价将环比上涨40%至50%，部分高容量规格产品交期已延长至12至14周。传统SLC NAND和MLC NAND因国际大厂逐步退出产能而成为“稀缺商品”，预计第二季度合同价同比涨幅将高达400%至500%。

 

从需求侧看，AI服务器架构升级显著增加NOR Flash单机用量。据《商业时报》报道，一个GPU服务器机架中可容纳多达30个NOR设备，每个Nvidia GB200 NVL72系统的NOR闪存成本达600美元，几年内可能升至900美元。AI服务器单服务器容量需求从通用服务器的125至256MB提升至256至512MB，英伟达B300规范要求单芯片容量达1Gb，推动512Mb和1Gb等高容量NOR Flash需求强劲。

 

供应端多重限制加剧紧张局面。上游晶圆代工厂因MCU、PMIC等产品利润更高而减少NOR Flash产能，三星电子宣布将于2026年6月停产传统MLC NAND产品进一步收紧供应。在此背景下，华邦电子和旺宏电子成为主要受益者。华邦电子总裁透露目标是将NOR闪存产能同比增长30%至40%，今年和明年产能已全部预订完毕。旺宏电子总裁表示AI服务器用2D NOR闪存需求强劲，其MLC eMMC报价近期飙升至2025年12月水平两倍，NAND业务营收贡献升至21%，同比增长超一倍。

 

面对产能紧张，华邦电子计划将其台中工厂约5.8万片/月总产能向利润更高的NOR与SLC NAND倾斜，预计两类产品总晶圆开工量将大幅增长至约5万片。旺宏电子为应对NAND需求扩大NAND制造能力，将使3D NOR芯片推出推迟两年。随着AI服务器向HBM4架构升级、汽车电子智能化加深，NOR Flash需求将持续结构性增长。

 

 

英特尔与AMD服务器CPU供应告急，交货周期延至半年、价格涨幅超10%

英特尔与AMD近期已通知中国大陆客户，其服务器CPU供应出现严重短缺，交货周期大幅延长。其中，英特尔部分高端至强处理器等待时间可能长达6个月，AMD部分EPYC系列交付周期已延长至8到10周。供应紧张直接推高市场价格，受配额制度影响，英特尔服务器产品在中国市场价格已普遍上涨10%以上。行业报告指出，两家巨头正考虑在2026年第一季度将服务器CPU平均售价提高10%至15%。

 

此次短缺主要集中在高效能产品线。英特尔第四代与第五代至强处理器在中国市场供应尤为紧张，已实施“配额制”交付但订单积压依然严重。供应链人士透露，某大型服务器ODM厂商以往每季可获取约5万颗至强芯片，如今配额已降至约3万颗。中国市场占英特尔总收入20%以上，影响显著。

 

短缺根源复杂多元。一方面，AI基础设施投资激增带动传统数据中心对高性能CPU的爆发性需求，Meta、谷歌、微软等超大规模云厂商为支持“智能体AI”应用正疯狂抢购高性能服务器CPU。另一方面，英特尔自身面临制造良率挑战，产能提升进度落后需求；AMD虽依赖台积电代工，但后者先进产能优先分配给利润更高的AI芯片，导致CPU产能受限。此外，2025年底内存价格飙涨促使客户为锁定成本提前采购CPU，进一步加剧紧张局面。

 

市场格局方面，英特尔与AMD共同主导全球服务器CPU市场，英特尔市场份额已从2019年的90%以上降至2025年的约60%，而AMD份额则从同期的约5%攀升至20%以上。英特尔在1月财报会议上已警示供应紧张，预计第一季度库存将处于历史最低水平，供应情况有望在2026年第二季度起逐步改善；AMD则重申凭借与台积电等供应商的稳固合作，有信心满足全球需求。

 

 

英伟达与Meta达成千亿级合作，锁定数百万颗AI芯片部署

英伟达与Meta近日宣布建立多年期战略合作伙伴关系，围绕AI基础设施展开深度协同。根据协议，Meta将在其超大规模数据中心部署数百万颗英伟达Blackwell GPU及下一代Rubin架构GPU，合作规模预计达千亿美元级别，分析人士估算交易价值可能高达500亿美元。此次合作的核心亮点在于英伟达Grace CPU将首次实现大规模独立部署，Meta成为首家在数据中心单独部署Grace的公司。双方还在合作部署英伟达下一代Vera CPU，有望在2027年实现大规模商用。

 

从网络基础设施层面看，英伟达Spectrum-X以太网平台将全面集成到Meta的Facebook开放式交换系统中，为分布式AI集群提供可预测的低延迟性能支持。这一合作建立在Meta庞大的资本支出基础之上，公司此前披露2026年全年资本支出预计在1150亿至1350亿美元之间，其中很大一部分将用于英伟达数据中心扩建。英伟达最新财报显示，前四大客户合计贡献其61%的营收，Meta作为第二大买家地位稳固。

 

Meta并未完全依赖英伟达，公司同时推进自研AI芯片计划，并考虑在2027年采用谷歌TPU，同时也在使用AMD产品，反映出大型云厂商普遍采取"第二供应商"策略应对供应紧张局面。从市场竞争格局看，Meta大规模采用英伟达CPU方案对传统服务器CPU供应商英特尔和AMD构成压力。分析指出，Grace CPU在部分后端负载中能效优势明显，而下一代Vera有望带来更大幅度改进。

 

 

全球被动元件价格全面上扬，AI与汽车电子驱动高端市场结构性短缺

全球被动元件市场正迎来新一轮强劲涨价潮。行业龙头国巨已于2月1日起对部分电阻产品调涨15%至20%，为短期内第三次调价，旗下基美钽电容高端型号涨幅达20%至30%。华新科随后对全系列电阻调价约20%，松下电子对30至40种钽电容提价15%至30%。国内市场方面，风华高科自去年12月起对瓷介电容调升10%至20%、厚膜电路调升15%至30%，顺络电子等厂商跟进，中小厂商调价幅度普遍在5%至20%之间。市场现货供应紧张，部分高端料号交期长达20周以上。

 

此轮涨价核心动力源于AI与新能源汽车引发的结构性供需失衡与成本压力。需求侧，单台AI服务器MLCC用量达3000至4000颗，较传统服务器提升超100%，一个AI服务器机柜用量可达44万颗。村田预测，2030年AI服务器MLCC需求将较2025年增长3.3倍。新能源汽车单车MLCC用量从燃油车约3000颗飙升至1.8万至3万颗，电阻用量达燃油车3倍以上。供应侧，原材料价格飙升构成巨大压力，NYMEX白银期货2025年涨幅超140%，银浆占叠层电感、磁珠成本超50%，铜、镍等金属价格上涨推高整体生产成本20%至30%。

 

市场呈现“高端热、消费冷”分化格局。受益AI与汽车订单，村田、三星电机等日韩大厂高端MLCC产能稼动率维持在80%以上，村田预计2026年第一季度高阶MLCC订单环比增长20%至25%。而消费电子领域，部分ODM厂1月MLCC订单平均环比减少5%至6%，相关制造商产能稼动率控制在60%至70%。

 

此轮行情为中国本土厂商带来国产替代机遇。中国是全球最大被动元件市场，2024年规模达1423亿元，占全球约44%份额。风华高科投资50亿元扩产高端电容基地，达产后将新增月产能约450亿只高端MLCC；顺络电子01005尺寸电感已打入英伟达供应链，相关收入同比增长73%。分析指出，本轮涨价由AI与汽车电子化主导的结构性增长驱动，预计高端被动元件供需紧平衡与价格上行趋势将在2026年持续。

 

 

MLCC成AI硬件新瓶颈，日韩大厂满载推动现货价格急涨20%

全球多层陶瓷电容器（MLCC）市场正迎来显著涨价潮，成为继存储器之后AI硬件供应链的新瓶颈。中国大陆渠道商已率先上调MLCC现货价格，中高容值、车规及工规级产品报价涨幅达10%至20%。全球龙头村田制作所已启动内部评估计划对最先进产品提价，其社长透露当前高端MLCC订单量已达产能的两倍。第二大厂三星电机拟自4月起启动双位数涨幅调涨，其天津厂月产能高达1200亿颗，目前已实现产能满载。

 

本轮价格上涨核心驱动力源于结构性需求激增与成本压力。需求侧方面，主流GB300机柜用到的MLCC数量至少达45万颗，相比苹果手机约1500颗的用量增长近300倍，AI电源整机柜系统对MLCC单位用量从2200颗跃增至3万颗。村田预计AI资本支出热潮至少持续三年，其电脑业务部门上季营收同比增长26.5%，MLCC产能利用率高达90%至95%。新能源汽车单车MLCC用量达1万至1.5万颗，是传统燃油车的3至6倍。钽电容因AI服务器大量导入持续紧缺并率先涨价20%至30%，促使设计端转向"钽电容+MLCC"方案，进一步放大MLCC需求。成本侧方面，MLCC生产成本中白银占比高达42%至58%，国际银价自2025年第三季度以来显著上涨，铜价2025年涨幅达27%，镍价上涨19%，共同推高制造成本。

 

市场呈现"高端热、消费冷"分化格局。日韩大厂高端订单旺盛，产能稼动率维持在80%以上，村田2026年第一季度高端MLCC订单量预计环比增长20%至25%。消费电子中低端市场疲软，部分ODM厂订单环比减少5%至6%，相关制造商产能稼动率控制在60%至70%。目前全行业库存处于历史低位，高端料号交期长达20周以上，短期供需缺口显著。业内预计MLCC现货价格涨幅未来1至3个月内可能扩大至15%至25%，涨价周期有望贯穿2026年上半年。村田将调价议题台面化后股价单日大涨6.9%。随着日韩大厂稼动率全面满载，排挤效应将逐步扩散至中低阶市场，在AI与汽车电子化趋势推动下，高端MLCC供需紧平衡状态或将持续。
 

 

 

原厂快讯

STM

通用料交期缩至12-18周，车规仍长达36-40周

意法半导体（STM）的通用料号供应形势迎来显著改善，以标准型STM32F/L系列及部分模拟器件为代表，其交货周期已缩短至12-18周，伴随库存水位上升，市场价格竞争有所加剧。然而，车规级产品领域依旧紧张，其交货周期仍长达36至40周，工业和汽车电子持续构成其核心需求动力。

 

 

Renesas

工控车用MCU持续紧张，现货定价坚挺

瑞萨电子（Renesas）的工业和汽车微控制器产品线持续面临供应紧张，尚未出现明显缓解，对应交货周期仍处延长状态。尽管官方未全面调涨价格，受产业链成本压力影响，其产品在现货市场定价坚挺，预示短期内价格存在上行风险。同时，碳化硅的供应稳定性及公司的长期功率半导体战略成为市场关注焦点。

 

 

TI

主流型号涨5%-15%，交期拉长至12-20周

德州仪器（TI）在2月份的现货市场表现活跃，受1月份调价及8英寸产能紧张影响，叠加AI服务器与汽车电子的强劲需求，以及中国大陆春节假期的备货节奏，其主流型号现货价格较1月整体上涨了5%至15%，部分稀缺料号涨幅更为显著。目前渠道库存处于低位，普遍交期已拉长至12-20周，市场预期节后复工将迎来新一轮补货，车规、工业及AI领域需求持续走强，卖方市场格局延续。

 

 

ADI

涨价后需求订单双增，部分供应商仍可议价

亚德诺半导体（ADI）在实施价格调整后，本月市场需求与订单量均呈现增长态势，市场价格亦同步    上行。尽管如此，市场反馈显示，部分供应商仍能提供具有竞争力的价格支持。

 

 

Broadcom

签210亿美元AI芯片大单，服务器拓展卡仍紧缺

博通（Broadcom）与AI公司Anthropic达成一项价值210亿美元的硬件采购协议，将直接供应约40万颗Google TPU v7“Ironwood”芯片，此举标志着其首次大规模进入AI加速芯片销售市场。与此同时，其服务器相关产品的拓展卡，如SX03、SX06、SX09系列，在现货市场仍极度短缺，市场溢价高企，且预计短期内难以缓解。

 

 

Microchip

需求持续低迷，车规器件交期延长

微芯科技（Microchip）本月需求持续低迷，现货市场需求疲软，仅ATSAM系列MCU存在零星询单。从交期数据看，8位和16位MCU通用料交期为6-12周，但同系列产品及汽车级PIC器件面临更长周期；以太网与USB产品交期在8-16周之间，FPGA产品交期则拉长至12-40周。总体而言，汽车级器件的供应紧张程度远超通用器件。

 

onsemi

完成GF工厂收购，GaN样品预计上半年推出

安森美（onsemi）于1月正式完成对原GlobalFoundries位于纽约州300毫米晶圆厂的收购整合，该厂将专注于汽车与工业用功率半导体和图像传感器。同时，onsemi正深化与GlobalFoundries的合作，共同开发650V氮化镓功率器件，预计首批工程样品将于2026年上半年提供。这一系列举措被视为其在氮化镓领域快速构建产能、增强在电动汽车充电及AI数据中心电源市场竞争力的关键战略。

 

 

Infineon

4月涨价在即，功率器件现最高50%现货涨幅

受AI需求驱动，功率器件领域出现结构性短缺，叠加英飞凌自2026年4月1日起调价，现货市场供需紧张、价格普遍上行。本次调价覆盖功率开关、功率IC及PMIC等，主流产品涨幅5%-15%，车规级IGBT、SiC模块及高端MOSFET涨幅达10%-20%，涉及新订单及未交付积压订单。
截至2月，现货价格显著波动：车规级IGBT模块（如FF450R12ME4）上浮20%-35%，SiC模块（如IMZ120R045M1H）涨幅达30%-50%，部分高端型号一货难求。工业及AI服务器用高压MOSFET、高密度PMIC现货价上涨15%-40%，中低压通用MOSFET供给收缩，价格上浮10%-25%。

交期方面，车规级IGBT/SiC模块常规型号交期16-20周，高端型号24-30周，部分紧俏型号已停止接单；AI服务器功率器件交期20-50周，高密度电源管理IC超52周；工业及通用器件交期12-18周，但供给持续收紧。库存方面，授权分销商核心紧缺型号库存仅能维持1-2周，整体处历史低位；现货市场紧缺型号溢价高，常规型号供应充足但价格受预期推动小幅上行。

 

 

NXP

需求趋稳库存趋紧，S32N系列发布及MEMS业务出售完成

恩智浦（NXP）总体需求保持稳定，但随着库存减少，部分领域出现结构性短缺。产品方面，恩智浦推出了面向软件定义汽车的S32N系列处理器，以及专用于电动车电池监测的芯片，进一步强化其在汽车电子领域的布局。此外，公司的MEMS传感器业务线已于今年2月初完成出售。

 

 

Xilinx

高端FPGA交期超40周，XC7系列现货涨价

高端FPGA供应困境未见好转，赛灵思（Xilinx）车规级及Versal系列的交货周期已延长至40-52周以上。随着交期延长及需求攀升，通用型XC7A和XC7Z系列产品的现货价格正持续上涨，凸显了高端FPGA领域面临的严峻供应限制。

 

 

被动元件

高端MLCC供应紧，国巨领涨电阻15-20%

在被动元件领域，受AI服务器巨大需求驱动，叠加头部厂商产能向高端产品转移，耐高温、大容量高端MLCC供应持续紧张，并波及其余系列，导致交期普遍拉长。成本压力下，涨价潮已至：国巨已宣布自2月1日起对部分电阻产品调涨15%-20%，三星电机、TDK、村田制作所等国际大厂亦纷纷跟进调价。

 

 

 

现货行情

Memory市场动态

eMMC / NAND Flash

• 春节前后，部分现货商为缓解资金压力进行少量出货，但节后客户需求依然强劲，整体供需矛盾未见缓解。市场仍处于“涨价缺货”的主旋律中，各品牌各容量价格普遍被带动上调，现货流通量依旧有限。
• 渠道囤货情绪高涨，低价出货意愿普遍偏低。
• Kioxia、Sandisk eMMC货量稀缺，报价持续处于高位，部分型号甚至超过三星，市场仅有零星报盘。传闻Kioxia计划在2026年减产一半，进一步加剧供给担忧。
• 华邦（Winbond）官价全线上调，且不时暂停接单或封盘不出货。
• MIXC、Micron、Winbond、Kioxia等品牌的小容量Flash全线拉涨，市场报价混乱，波动加剧。

 

 

DRAM

• DDR4：消费类DDR4整体处于横盘整理阶段，部分容量（如4Gb–16Gb）价格略显疲软。
• DDR3：受整体价格高位影响，部分成本敏感型应用及买家需求开始回流至相对低价的DDR3，带动其询单量快速增加。
• LPDDR：LPDDR整体仍处于缺货状态，尤以LPDDR5及LPDDR5X最为突出，预计2026年供应紧张局面将持续。各大原厂持续控制出货节奏，流入渠道的现货极其有限，渠道商惜售情绪浓厚，容量越大涨幅越明显。当前仅美光有少量货源释出，其余品牌几乎无新增供给，市场整体处于“有价无市”状态。

 

 

服务器内存 (RDIMM)

• RDIMM整体表现平稳，价格维持横盘；PC类内存现货稀缺，报价小幅上涨。DDR5需求持续火热，服务器端价格未见松动。
• PC市场受终端出货放缓及内存价格上涨压制，单机容量提升受阻，需求增长基本停滞。

 

 

存储市场动态

 

HDD

• 三大厂商（希捷、WD、东芝）均已宣布2026年HDD全年产能售罄，其中仅3%-5%面向消费市场，预示今年消费级HDD将面临严重短缺。零售端供给承压明显。。
•  企业级市场 (8TB/16TB/20TB/24TB) 价格持续走高，消费级市场 (1TB/2TB) 同步跟涨。
• 尽管整体需求表现一般，但价格仍呈上行趋势，交期持续拉长。8T/16T/20T/24T仍是市场热点，希捷24T上周价格小幅上扬，货源紧张。

 

 

SSD

• 市场询价活跃，但实际成交较少，观望情绪浓厚。
• 三星SSD整体价格趋稳，但960G容量因缺货推动价格上扬，其他型号涨幅收窄。

 

 

CPU市场动态

移动平台

• 三星SSD整体价格趋稳，但960G容量因缺货推动价格上扬，其他型号涨幅收窄。

 

 

PC CPU

• 散片价格整体横盘，需求平淡，成交活跃度偏低。

 

 

服务器CPU

• 需求维持正常水平，以第5、6代产品为主，市场有小批量成交。

 

 

GPU市场动态

GPU

• 整体价格强势上行，高端及大显存型号溢价明显。
• 英伟达虽未调整官价，但AIC厂商及终端售价普遍上涨约15%。

 

 

网卡与存储控制器市场动态

网卡

• 节后工厂需求逐步释放，博通RAID卡、HBA卡价格持续走高，MCX系列因到货增多需求有所减弱。
• 主流型号如9560-8i、9500-16i节后涨幅均超10%，价格趋势看涨。9580-8i8e等博通阵列卡亦有少量成交。
  被动元件市场动态

 

 

被动元件市场动态